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設(shè)備配置	2-4 chamber
設(shè)備產(chǎn)能	104WPH
襯底材質(zhì)	Si、SiC、Glass、GaAs、InP、Sapphire、LN、LT
適用工藝	來(lái)料清洗、CMP后清洗、打標(biāo)后清洗、背面清洗、光刻膠殘留清洗
工藝指標(biāo)	顆?？刂疲?le;20ea@0.12um）
工藝指標(biāo)	金屬離子控制（Fe Ca: 5E9 atms/cm
應(yīng)用領(lǐng)域	IC、功率器件、射頻集成、半導(dǎo)體光學(xué)、光通訊、科研
技術(shù)特征	?機(jī)臺(tái)可實(shí)現(xiàn)多尺寸兼容； ?工藝腔體經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，高性能FFU，配合可調(diào)節(jié)高度的CUP，在晶圓表面形成穩(wěn)定downflow,有效控制腔體內(nèi)的靜態(tài)環(huán)境和動(dòng)態(tài)環(huán)境； ?多達(dá)三個(gè)噴液手臂和一個(gè)固定噴頭，實(shí)現(xiàn)多種噴液方式的混合使用，增大清洗工藝節(jié)點(diǎn)的窗口（≤120nm）； ?手臂采用電缸使上下方向高度可調(diào)，采用伺服電機(jī)使擺動(dòng)方向上實(shí)現(xiàn)任意位置的精確調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)更大的工藝優(yōu)化窗口； ?氣液分離機(jī)制，可利用分層CUP實(shí)現(xiàn)對(duì)有機(jī)和DIW的分開(kāi)排廢。
設(shè)備尺寸	256025132500（WDH）

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